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“HiSIM_SOI”晶体管模型已成国际标准

   近日,广岛大学开发的晶体管模型“HiSIM_SOI”已成为国际标准。

  HiSIM_SOI是SOI基板上的晶体管的模型,已于2012年7下旬被电路模拟用晶体管模型(即集约模型)国际标准化机构“CMC:Compact Modeling Council”接纳为SOI晶体管的CMC标准。
 
  HiSIM_SOI的基础是Bulk基板MOS晶体管模型“HiSIM2:Hiroshima- university STARC IGFET Model 2”。这是广岛大学在日本半导体理工学研究中心(STARC)的协助下开发的,已于2011年4月被选为CMC标准。将HiSIM2扩展到高耐压晶体管的“HiSIM_HV”(初名称为“HiSIM LDMOS”)于2007年12月被选为CMC标准。此次,HiSIM_SOI又被选为CMC标准,这样日本共有三个HiSIM模型成为国际标准。
 
  据出席会议的独立行政法人日本产业技术综合研究所(产综研)介绍,获得三个CMC标准的只有美国加州大学伯克利分校(UCB)和广岛大学两所学校。不过,据产综研介绍,在UCB的三个CMC标准中,BSIM(Bulk MOS晶体管)和BSIM-SOI都是老一代晶体管模型(即阈值电压模型),而广岛大学的HiSIM模型都是克服了阈值电压模型弱点的表面电位模型,从发展前景来看,可以说广岛大学的三个CMC标准模型比UCB的三个标准模型更胜一筹。
 

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