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长电科技——与国际封装接轨

                                    长电科技——与国际封装接轨

      从“无资金、无人才、无市场”名不见经传的里弄亏损小厂,到目前国内*大的、拥有封装技术的内资封装测试企业,如今长电科技在IC封装领域已基本掌握九大核心技术,与国际封测主流技术同步发展。这些技术包括:硅穿孔(TSV)封装技术、SiP射频封装技术、圆片级三维再布线封装工艺技术、铜凸点互联技术、高密度FC-BGA封测技术、多圈阵列四边无引脚封测技术(MIS)、封装体三维立体堆叠封装技术、50μm以下超薄芯片三维堆叠封装技术、MEMS等新兴产品封测技术。
 
      自主知识产权的技术创新与突破,使得长电科技快速在国际竞争市场上取得话语权,FBP封装技术就是比较典型的例子。该技术的成功开发不仅解决了当时主流封装技术QFN不能实现软焊料工艺、共晶工艺、高压环境中塑封存在溢料以及在球焊工艺中不稳定等问题,而且首次解决了QFN封装系美国安靠公司的专利、国内企业生产受到限制、且必须缴纳专利金等生产束缚问题。
 
      目前,长电科技WL-CSP、TSV、SiP三大主流技术已与水平接轨。在SiP封装上,长电科技已占据地位,接近水平,减薄技术达到25μm,堆叠可达8层以上,焊线距离小到35μm。长电科技的射频器件封装设计能力也很强,WLCSP封装技术,规模已居前三。上体积*小的影像传感器(CIS)已在长电科技生产,12英寸圆片级封装也已批量生产,铜柱凸块技术也已进入小批量生产,该技术将在流行。

 

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