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“功率半导体器件”领域专利分析普及推广项目

为提高企业专利信息运用能力,提升全社会专利信息运用意识,助力国家产业发展,国家知识产权局自2010年启动了专利分析普及推广项目。专利分析普及推广项目的工作原则是“源于产业、依靠产业、推动产业”。在“十二五”期间,国家知识产权局将从战略性新兴产业、高技术产业和传统产业中选择50个热点产业进行研究。目前,已完成16个产业的专利分析,并以《产业专利分析报告(1-6册)》形式公开出版。
 
  2012年国家知识产权局继续开展专利分析普及推广项目工作,并已确定10个研究课题。其中“功率半导体器件”领域作为终确定的项目之一,已经启动并正在进行研究,目前已经完成关键技术“IGBT(绝缘栅双级型晶体管)”领域的初步分析。

  为了使得课题组终形成的分析报告更具有实际指导意义和针对性,非常欢迎本领域的相关企业以及关注该领域的产业*家、技术*家参与到课题组的研究工作中!


        该项目的主要研究内容包括:
  1、功率半导体器件领域的专利分析和中国专利分析(包括申请量分析、区域分布、申请人、发明人、技术分布等);
  2、深入分析关键技术“IGBT(绝缘栅双级型晶体管)”领域的专利分布;
  3、深入分析“SiC(碳化硅)材料功率半导体器件”领域的专利分布;
  4、主要申请人的深入分析(初步选定三菱、英飞凌、ABB);
  5、重要专利筛选和分析;
  6、技术演进、技术功效分析等。
 
 

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